| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI7110DN-T1-E3 |
PowerPAK? 1212-8 | Vishay Siliconix | 21868 | 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
SI7110DN-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 21.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.5W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 电源输入 - 输入GRF2.0512.11 电流CR9380-PNP-M 矩形- 接头，公引77311-102-20 逻辑 - 锁销SY10E175JZTR DC DC ConVE-B41-CY-F1 接口 - 模拟开关TS5A1066DCKR 数据采集 - ADMAX198BEAI T 光学 - 光断续器E3Z-G61-M3J 铝电容器ECA-1CM103 Card EdgeAMM25DTKD-S288 |
|||||